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使用ADuM4136隔離式柵極驅動器和LT3999 DC/DC轉換器驅動1200 V SiC電源模塊

  • 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統等電源發展技術的成功取決于電力轉換方案能否有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。目前最先進的寬帶器件,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能,如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗,以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅動器的性能要求,例如,,通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅動器的優勢,這款單通道器件的輸出驅動能
  • 關鍵字: DC/DC  SiC  

CISSOID與國芯科技簽署戰略合作協議

  • 各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上,公司與湖南國芯半導體科技有限公司(簡稱“國芯科技”)簽署了戰略合作協議,將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發,充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢,并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來,寬禁帶半導體功率器件(如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等)憑借多方面的性能優勢,在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而,在各類應用中
  • 關鍵字: IGBT  SiC  GaN  

SiC MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過,這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善,特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低,這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果,市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高,對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求,進一步改進MOSFET/ IGBT產品,但在某些時候,收益遞減
  • 關鍵字: SiC MOSFET  意法半導體  

ST進軍工業市場,打造豐富多彩的工業樂園

  • 近日,意法半導體(ST)在華舉辦了“ST工業巡演2019”。在北京站,ST亞太區功率分立和模擬產品器件部區域營銷和應用副總裁Francesco Muggeri分析了工業市場的特點,并介紹了ST的產品線寬泛且通用性強,能夠提供完整系統的支持。1 芯片廠商如何應對工業市場少量多樣的挑戰工業領域呈現多樣、少量的特點,需要改變消費類電子大規模生產的模式,實現少量、高質量的生產。具體地,工業的一大挑戰是應用的多樣化,即一個大應用下面通常有很多小的子應用,所以產品會非標準化,即一個產品只能針對某一類小應用/小客戶的需
  • 關鍵字: 電機  MCU  電源  SiC  

ROHM開發出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發的系列產品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關損耗可降低約35%,非常有助于進一步降低各種設備的功耗。另外,羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT304
  • 關鍵字: SiC  MOSFET  

科銳宣布與德爾福科技開展汽車SiC器件合作

  • 近日,科銳宣布與德爾福科技(Delphi Technologies PLC)開展汽車碳化硅(SiC)器件合作。
  • 關鍵字: 科銳  德爾福科技  SiC  

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導體?

  •   王?瑩?(《電子產品世界》編輯,北京?100036)  SiC(碳化硅)作為第三代半導體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導體上顯出優勢。據SiC廠商羅姆基于IHS的調查顯示,2025年整個市場規模將達到約23億美元。在應用中,在光伏和服務器市場最大,正處于發展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。  不過,制約SiC發展的關鍵是價格,主要原因有兩個:襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應地下降,羅姆等公司已經有6英
  • 關鍵字: 201909  新一代功率半導體  SiC  

SiC將達23億美元規模,技術精進是主攻方向

  • ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導體上顯出優勢。在應用中,在光伏和服務器市場最大,正處于發展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風電上將會得到更多的應用。? ? ? 不過,制約SiC發展的,最主要的是價格,主要原因有兩個,一個是襯底,一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應地下降,ROHM等公司已經有6英寸的晶圓片。在技術方面,眾廠商競爭
  • 關鍵字: SiC  MOSFET  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型, 產品陣容豐富且支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101

  •   全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型,該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2),而且產品陣容豐富,擁有13個機型。  ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC MOSFET的量產,在SiC功率元器件領域,ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場,ROHM也及時確立車載品質,并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特
  • 關鍵字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

  •   2019年3月14日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應用廣泛的電源方案,使用戶能在一個具充分代表性的環境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統方案的選擇范圍,且在采購硬件和完成設計之前對系統性能有信心。  Strata Developer S
  • 關鍵字: 安森美  SiC   

集邦咨詢:需求持續擴張,2019年中國功率半導體市場規模逾2,900億元

  •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構集邦咨詢在最新《中國半導體產業深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產品持續缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%。  集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導體作為需求驅動型的產業,2019年
  • 關鍵字: IGBT  SiC   

碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
  • 關鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅動器,可最大程度提高效率及安全性

  •   深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經過設定后可支持不同的門極驅動電壓,來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統、伺服驅動器、電焊機和電源。  SIC1182K可在125°C結溫下提供8
  • 關鍵字: Power Integrations  SiC-MOSFET  

SiC市場趨勢及應用動向

  • 介紹了SiC的市場動向,SiC市場不斷擴大的原因,SiC技術及解決方案的突破,以及羅姆公司在SiC方面的特點。
  • 關鍵字: SiC  市場  應用  汽車  201903  

ST將收購Norstel 55%股權,擴大SiC器件供應鏈

  • 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協議,收購后者55%股權。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來,開發和生產150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示,在交易完成之后,它將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈,并為自己帶來一個重要的增長機會。
  • 關鍵字: ST  Norstel  SiC  
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類:一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型,稱為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數目;另一類是六角型或菱形結構的大周期結構,其中典型的有6H、4H、15R等,統稱為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環境,并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細 ]

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